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IXGH56N60A3

IXGH56N60A3

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH56N60A3
PNEDA Teilenummer IXGH56N60A3
Beschreibung IGBT 600V 150A 330W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.020
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGH56N60A3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH56N60A3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH56N60A3, IXGH56N60A3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 177,92 KB)
PDFIXGH56N60A3 Datenblatt Cover
IXGH56N60A3 Datenblatt Seite 2 IXGH56N60A3 Datenblatt Seite 3 IXGH56N60A3 Datenblatt Seite 4 IXGH56N60A3 Datenblatt Seite 5 IXGH56N60A3 Datenblatt Seite 6

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IXGH56N60A3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)370A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 44A
Leistung - max330W
Schaltenergie1mJ (on), 3.75mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge140nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.26ns/310ns
Testbedingung480V, 44A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.4A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 1.2A

Leistung - max

2.1W

Schaltenergie

30µJ (on), 13µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/80ns

Testbedingung

300V, 1.2A, 200Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223-4

IRG4PC50KDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.61mJ (on), 840µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

63ns/150ns

Testbedingung

480V, 30A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

FGH40T65SHDF-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.22mJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

101ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

NGTB30N120L2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

534W

Schaltenergie

4.4mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

116ns/285ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

450ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

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Gate Charge

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