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IRGP4069D-EPBF

IRGP4069D-EPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGP4069D-EPBF
PNEDA Teilenummer IRGP4069D-EPBF
Beschreibung IGBT 600V 76A 268W TO247AD
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $69,8001
50 ---------- $66,5282
100 ---------- $63,2563
200 ---------- $59,9844
400 ---------- $57,2579
500 ---------- $54,5313
Auf Lager 4.647
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRGP4069D-EPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGP4069D-EPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRGP4069D-EPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)76A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)105A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 35A
Leistung - max268W
Schaltenergie390µJ (on), 632µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge104nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.46ns/105ns
Testbedingung400V, 35A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)120ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD

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AOK40B60D

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

Alpha IGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

312.5W

Schaltenergie

1.72mJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

63.5nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/77ns

Testbedingung

400V, 40A, 7.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

138ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

147W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

76nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

70ns/250ns

Testbedingung

600V, 25A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-SMD Module

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS-SMPD™.B

SGF80N60UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

110W

Schaltenergie

570µJ (on), 590µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

175nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/90ns

Testbedingung

300V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-3PF

FGH40N60SFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

1.13mJ (on), 310µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/115ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

APT40GT60BRG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

345W

Schaltenergie

828µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/124ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

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