RGT00TS65DGC11
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| Teilenummer | RGT00TS65DGC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGT00TS65DGC11 |
| Beschreibung | 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.892 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGT00TS65DGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGT00TS65DGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT00TS65DGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 85A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 277W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 94nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 42ns/137ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 54ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Thunderbolt IGBT® IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A Leistung - max 345W Schaltenergie 828µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/124ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
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