SGH40N60UFDM1TU
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| Teilenummer | SGH40N60UFDM1TU |
| PNEDA Teilenummer | SGH40N60UFDM1TU |
| Beschreibung | IGBT 600V 40A 160W TO3P |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.754 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGH40N60UFDM1TU Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGH40N60UFDM1TU |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGH40N60UFDM1TU Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 160A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 160W |
| Schaltenergie | 160µJ (on), 200µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 97nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/65ns |
| Testbedingung | 300V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A Leistung - max 85W Schaltenergie 1.1mJ (on), 1.1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung 600V, 10A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 350ns Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268AA |
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