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IXGT39N60BD1

IXGT39N60BD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT39N60BD1
PNEDA Teilenummer IXGT39N60BD1
Beschreibung IGBT 600V 76A 200W TO268
Hersteller IXYS
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IXGT39N60BD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT39N60BD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT39N60BD1, IXGT39N60BD1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 154,32 KB)
PDFIXGT39N60BD1 Datenblatt Cover
IXGT39N60BD1 Datenblatt Seite 2 IXGT39N60BD1 Datenblatt Seite 3 IXGT39N60BD1 Datenblatt Seite 4 IXGT39N60BD1 Datenblatt Seite 5

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IXGT39N60BD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)76A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)152A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 39A
Leistung - max200W
Schaltenergie4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge110nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/250ns
Testbedingung480V, 39A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

76A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 35A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

390µJ (on), 632µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

104nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/105ns

Testbedingung

400V, 35A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

120ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

STGF19NC60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 12A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

165µJ (on), 255µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/105ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-220FP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

345W

Schaltenergie

828µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

200nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/124ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

FGY75T95LQDT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

950V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.69V @ 15V, 75A

Leistung - max

453W

Schaltenergie

2mJ (on), 1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

663.3nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

52ns/496ns

Testbedingung

600V, 37.5A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

259ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

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Hersteller

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 160A

Leistung - max

882W

Schaltenergie

12.4mJ (on), 5.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

53ns/98ns

Testbedingung

400V, 160A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

132ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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