SGR2N60UFDTM
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| Teilenummer | SGR2N60UFDTM |
| PNEDA Teilenummer | SGR2N60UFDTM |
| Beschreibung | IGBT 600V 2.4A 25W DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.380 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 2 - Apr 7 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SGR2N60UFDTM Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SGR2N60UFDTM |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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SGR2N60UFDTM Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2.4A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 10A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 1.2A |
| Leistung - max | 25W |
| Schaltenergie | 30µJ (on), 13µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 9nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/80ns |
| Testbedingung | 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | D-Pak |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 320W Schaltenergie 2.11mJ (on), 1.18mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 157nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/229ns Testbedingung 600V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 153ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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