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IXYH82N120C3

IXYH82N120C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYH82N120C3
PNEDA Teilenummer IXYH82N120C3
Beschreibung IGBT 1200V 200A 1250W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.548
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXYH82N120C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYH82N120C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IXYH82N120C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)380A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 82A
Leistung - max1250W
Schaltenergie4.95mJ (on), 2.78mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge215nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.29ns/192ns
Testbedingung600V, 80A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXYH)

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

257W

Schaltenergie

890µJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

171nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

85ns/174ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

77ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IKFW50N60ETXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

73A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

164W

Schaltenergie

1.5mJ (on), 1.42mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

290nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/305ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

91ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

IRGPC50FD2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 39A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

TIG074E8-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.4V @ 2.5V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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