ISL9V3040S3S
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| Teilenummer | ISL9V3040S3S |
| PNEDA Teilenummer | ISL9V3040S3S |
| Beschreibung | IGBT 430V 21A 150W TO263AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.086 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ISL9V3040S3S Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ISL9V3040S3S |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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ISL9V3040S3S Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | EcoSPARK® |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 430V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 21A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 4V, 6A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Logic |
| Gate Charge | 17nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | -/4.8µs |
| Testbedingung | 300V, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ NPT and Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 45A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 15A Leistung - max 186W Schaltenergie 3mJ (on), 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/160ns Testbedingung 600V, 15A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 330ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A Leistung - max 790W Schaltenergie 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 399nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 64ns/332ns Testbedingung 600V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 99ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 25A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A Leistung - max 40W Schaltenergie 250µJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 12.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/600ns Testbedingung 480V, 3A, 470Ohm, 10V Reverse Recovery Time (trr) 234ns Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 83µJ (on), 140µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 57nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19.5ns/103ns Testbedingung 400V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 107ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
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