STGW10M65DF2
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGW10M65DF2 |
| PNEDA Teilenummer | STGW10M65DF2 |
| Beschreibung | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.814 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STGW10M65DF2 Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | STGW10M65DF2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STGW10M65DF2 Datasheet
- where to find STGW10M65DF2
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STGW10M65DF2
- STGW10M65DF2 PDF Datasheet
- STGW10M65DF2 Stock
- STGW10M65DF2 Pinout
- Datasheet STGW10M65DF2
- STGW10M65DF2 Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STGW10M65DF2 Price
- STGW10M65DF2 Distributor
STGW10M65DF2 Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | M |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 40A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 115W |
| Schaltenergie | 120µJ (on), 270µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 28nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 19ns/91ns |
| Testbedingung | 400V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 96ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 70A Leistung - max 149W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 49nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) 23ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A Leistung - max 536W Schaltenergie 2.15mJ (on), 1.4mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 313nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/150ns Testbedingung 600V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 281ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 7A Leistung - max 45W Schaltenergie 270µJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 24nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 120ns/410ns Testbedingung 300V, 7A, 470Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220F |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 192A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 48A Leistung - max 300W Schaltenergie 1.7mJ (on), 1mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 150nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/140ns Testbedingung 400V, 48A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 15A Leistung - max 200W Schaltenergie 2.7mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17ns/105ns Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
