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STGW10M65DF2

STGW10M65DF2

Nur als Referenz

Teilenummer STGW10M65DF2
PNEDA Teilenummer STGW10M65DF2
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGW10M65DF2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW10M65DF2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW10M65DF2, STGW10M65DF2 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 936,2 KB)
PDFSTGW10M65DF2 Datenblatt Cover
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STGW10M65DF2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieM
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Leistung - max115W
Schaltenergie120µJ (on), 270µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/91ns
Testbedingung400V, 10A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)96ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 70A

Leistung - max

149W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

23ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

74A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/157ns

Testbedingung

400V, 40A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

78ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

2.15mJ (on), 1.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

313nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

600V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

281ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247-4L

HGTG12N60A4D

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/96ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

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Gate Charge

136nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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