STGW10M65DF2 Datenblatt
STGW10M65DF2 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STGW10M65DF2
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max 115W Schaltenergie 120µJ (on), 270µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/91ns Testbedingung 400V, 10A, 22Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 96ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |