RGTH40TK65DGC11
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| Teilenummer | RGTH40TK65DGC11 |
| PNEDA Teilenummer | RGTH40TK65DGC11 |
| Beschreibung | IGBT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGTH40TK65DGC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGTH40TK65DGC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGTH40TK65DGC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 23A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 56W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 40nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 22ns/73ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PFM |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 55A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 188W Schaltenergie 280µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 70nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/177ns Testbedingung 400V, 15A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
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