SGR2N60UFDTM Datenblatt
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 1.2A Leistung - max 25W Schaltenergie 30µJ (on), 13µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/80ns Testbedingung 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.4A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 10A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 1.2A Leistung - max 25W Schaltenergie 30µJ (on), 13µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 9nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/80ns Testbedingung 300V, 1.2A, 200Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
