FGPF15N60UNDF
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| Teilenummer | FGPF15N60UNDF |
| PNEDA Teilenummer | FGPF15N60UNDF |
| Beschreibung | IGBT 600V 30A 42W TO-220F |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.854 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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FGPF15N60UNDF Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | FGPF15N60UNDF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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FGPF15N60UNDF Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 42W |
| Schaltenergie | 370µJ (on), 67µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 43nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 9.3ns/54.8ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 82.4ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 10A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 65nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/170ns Testbedingung 600V, 10A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Die Lieferantengerätepaket Die |
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