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IXGR40N60CD1

IXGR40N60CD1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR40N60CD1
PNEDA Teilenummer IXGR40N60CD1
Beschreibung IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.488
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGR40N60CD1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR40N60CD1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR40N60CD1, IXGR40N60CD1 Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 512,5 KB)
PDFIXGR40N60C Datenblatt Cover
IXGR40N60C Datenblatt Seite 2

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IXGR40N60CD1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 40A
Leistung - max200W
Schaltenergie850µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge116nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/100ns
Testbedingung480V, 40A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)3.5ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/130ns

Testbedingung

850V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

STGW60H60DLFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 60A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

626µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

306nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/160ns

Testbedingung

400V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRG6I330U-111P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 28A

Leistung - max

43W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/120ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGH75T65SQDT-F155

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

300µJ (on), 70µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

128nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/120ns

Testbedingung

400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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