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IRG6I330U-111P

IRG6I330U-111P

Nur als Referenz

Teilenummer IRG6I330U-111P
PNEDA Teilenummer IRG6I330U-111P
Beschreibung IGBT 330V 28A 43W TO220ABFP
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.626
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRG6I330U-111P Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG6I330U-111P
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG6I330U-111P Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)330V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.55V @ 15V, 28A
Leistung - max43W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge-
Td (ein / aus) bei 25 ° C.39ns/120ns
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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AUIRGP4066D1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

4.24mJ (on), 2.17mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

240ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IXGY2N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

8A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

25W

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/300ns

Testbedingung

960V, 2A, 150Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1000A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 100A

Leistung - max

1000W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

585nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/250ns

Testbedingung

480V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

66ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

24-PowerSMD, 21 Leads

Lieferantengerätepaket

24-SMPD

IRG8CH15K10D

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SGL5N150UFTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.5V @ 10V, 5A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

190µJ (on), 100µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/30ns

Testbedingung

600V, 5A, 10Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264-3

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