IXGY2N120
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXGY2N120 |
| PNEDA Teilenummer | IXGY2N120 |
| Beschreibung | IGBT 1200V 5A 25W TO252AA |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.750 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGY2N120 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGY2N120 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGY2N120 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 5A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 8A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 4.5V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 25W |
| Schaltenergie | 600µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 9nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/300ns |
| Testbedingung | 960V, 2A, 150Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 180A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 12A Leistung - max 63W Schaltenergie 180µJ (on), 180µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 32ns/70ns Testbedingung 300V, 12A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 85ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-83 Lieferantengerätepaket 4-LDPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 90A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 24A Leistung - max 200W Schaltenergie 3.83mJ (on), 1.9mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 180nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 87ns/140ns Testbedingung 800V, 24A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 90ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Leistung - max 267W Schaltenergie 1.16mJ (on), 280µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 35nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/37ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 34ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 31A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A Leistung - max 100W Schaltenergie 230µJ (on), 1.18mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 51nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/200ns Testbedingung 480V, 17A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
