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IRG4PH50KDPBF

IRG4PH50KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG4PH50KDPBF
PNEDA Teilenummer IRG4PH50KDPBF
Beschreibung IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
Stückpreis
1 ---------- $42,8371
100 ---------- $40,8291
250 ---------- $38,8211
500 ---------- $36,8132
750 ---------- $35,1398
1.000 ---------- $33,4665
Auf Lager 90
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IRG4PH50KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG4PH50KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IRG4PH50KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 24A
Leistung - max200W
Schaltenergie3.83mJ (on), 1.9mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge180nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.87ns/140ns
Testbedingung800V, 24A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)90ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

420V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

650ns/13.5µs

Testbedingung

300V, 10A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 120A

Leistung - max

660W

Schaltenergie

2.4mJ (on), 5.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

350nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/200ns

Testbedingung

480V, 100A, 2.4Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/90ns

Testbedingung

400V, 30A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3, Short Tab

Lieferantengerätepaket

TO-268

IXGH20N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

3.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

73nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/350ns

Testbedingung

800V, 20A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

AUIRGSL30B60K

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

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Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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