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IXGJ40N60C2D1

IXGJ40N60C2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGJ40N60C2D1
PNEDA Teilenummer IXGJ40N60C2D1
Beschreibung IGBT 600V 75A 300W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 5.310
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGJ40N60C2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGJ40N60C2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGJ40N60C2D1, IXGJ40N60C2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 170,25 KB)
PDFIXGT40N60C2D1 Datenblatt Cover
IXGT40N60C2D1 Datenblatt Seite 2 IXGT40N60C2D1 Datenblatt Seite 3 IXGT40N60C2D1 Datenblatt Seite 4 IXGT40N60C2D1 Datenblatt Seite 5 IXGT40N60C2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGJ40N60C2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 30A
Leistung - max300W
Schaltenergie200µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge95nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/90ns
Testbedingung400V, 30A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3, Short Tab
LieferantengerätepaketTO-268

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Serie

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

326W

Schaltenergie

1.46mJ (on), 1.29mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

58nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/115ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

310W

Schaltenergie

3.56mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

56nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/167ns

Testbedingung

1250V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

16ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

10mJ (on), 33mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

420nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/490ns

Testbedingung

960V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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TO-247-3

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

1.06mJ (on), 1.56mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/189ns

Testbedingung

400V, 75A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

36ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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