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IXYK120N120C3

IXYK120N120C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXYK120N120C3
PNEDA Teilenummer IXYK120N120C3
Beschreibung IGBT 1200V 240A 1500W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 9.048
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXYK120N120C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYK120N120C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYK120N120C3, IXYK120N120C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 205,67 KB)
PDFIXYX120N120C3 Datenblatt Cover
IXYX120N120C3 Datenblatt Seite 2 IXYX120N120C3 Datenblatt Seite 3 IXYX120N120C3 Datenblatt Seite 4 IXYX120N120C3 Datenblatt Seite 5 IXYX120N120C3 Datenblatt Seite 6

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IXYK120N120C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)240A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)700A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 120A
Leistung - max1500W
Schaltenergie6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge412nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.35ns/176ns
Testbedingung600V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXYK)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

348W

Schaltenergie

1.44mJ (on), 550µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

204nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

73ns/269ns

Testbedingung

600V, 25A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 7A

Leistung - max

54W

Schaltenergie

70µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/100ns

Testbedingung

480V, 7A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

1.74mJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

225nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/490ns

Testbedingung

600V, 25A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

57nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/148ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

300V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

110A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

Leistung - max

255W

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Gate Charge

132nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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