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FGH25T120SMD-F155

FGH25T120SMD-F155

Nur als Referenz

Teilenummer FGH25T120SMD-F155
PNEDA Teilenummer FGH25T120SMD-F155
Beschreibung IGBT 1200V 50A 428W TO247-3
Hersteller ON Semiconductor
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FGH25T120SMD-F155 Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFGH25T120SMD-F155
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
FGH25T120SMD-F155, FGH25T120SMD-F155 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 451,01 KB)
PDFFGH25T120SMD-F155 Datenblatt Cover
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FGH25T120SMD-F155 Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
Leistung - max428W
Schaltenergie1.74mJ (on), 560µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge225nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/490ns
Testbedingung600V, 25A, 23Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)60ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads

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FGD3040G2-F085

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4.8µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

430µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

17nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/180ns

Testbedingung

480V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

340A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

900A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

3mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

315nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/125ns

Testbedingung

360V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

IXEL40N400

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

380W

Schaltenergie

55mJ (on), 165mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

275nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

160ns/630ns

Testbedingung

2800V, 40A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

SGP30N60XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

112A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.29mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/291ns

Testbedingung

400V, 30A, 11Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

NC7SP125P5X

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ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V SC70-5

SMBJ5.0CA-13-F

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Diodes Incorporated

TVS DIODE 5V 9.2V SMB

LTM8073IY#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-15V

CAT93C46VI-GT3

CAT93C46VI-GT3

ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 2MHZ 8SOIC

AD823AR

AD823AR

Analog Devices

IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC

MC33883HEGR2

MC33883HEGR2

NXP

IC H-BRIDGE PRE-DRIVER 20SOIC

MAX811MEUS+T

MAX811MEUS+T

Maxim Integrated

IC VOLT MON W/RESET SOT143-4

EMVY101ARA101MKE0S

EMVY101ARA101MKE0S

United Chemi-Con

CAP ALUM 100UF 20% 100V SMD

93LC46C-I/SN

93LC46C-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 1K SPI 3MHZ 8SOIC

DLP11TB800UL2L

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Murata

CMC 100MA 2LN 80 OHM SMD

LT1965EDD#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8DFN

B360B-13-F

B360B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMB