Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXXX200N60C3

IXXX200N60C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXXX200N60C3
PNEDA Teilenummer IXXX200N60C3
Beschreibung IGBT 600V 200A PLUS247
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.968
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 6 - Apr 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXXX200N60C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXX200N60C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXX200N60C3, IXXX200N60C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 205,76 KB)
PDFIXXK200N60C3 Datenblatt Cover
IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 2 IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 3 IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 4 IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 5 IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXXX200N60C3 Datasheet
  • where to find IXXX200N60C3
  • IXYS

  • IXYS IXXX200N60C3
  • IXXX200N60C3 PDF Datasheet
  • IXXX200N60C3 Stock

  • IXXX200N60C3 Pinout
  • Datasheet IXXX200N60C3
  • IXXX200N60C3 Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXXX200N60C3 Price
  • IXXX200N60C3 Distributor

IXXX200N60C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™, GenX3™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)340A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)900A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Leistung - max-
Schaltenergie3mJ (on), 1.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.47ns/125ns
Testbedingung360V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT40GP90BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/75ns

Testbedingung

600V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 28A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

3.6mJ (on), 3.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

88nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/190ns

Testbedingung

960V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

IXGT20N60B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

150µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/150ns

Testbedingung

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

STGWA80H65DFB

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

240A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 80A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

414nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

84ns/280ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

85ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/150ns

Testbedingung

960V, 35A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

Kürzlich verkauft

LM2901M

LM2901M

ON Semiconductor

IC COMPARATOR QUAD 14-SOP

WSL2512R0500FEA

WSL2512R0500FEA

Vishay Dale

RES 0.05 OHM 1% 1W 2512

SF-1206F700-2

SF-1206F700-2

Bourns

FUSE BOARD MOUNT 7A 24VDC 1206

ILBB0805ER110V

ILBB0805ER110V

Vishay Dale

FERRITE BEAD 11 OHM 0805 1LN

MX29GL512FLT2I-10Q

MX29GL512FLT2I-10Q

Macronix

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP

5KP30A

5KP30A

Littelfuse

TVS DIODE 30V 48.4V P600

SMBJ5.0A-TR

SMBJ5.0A-TR

STMicroelectronics

TVS DIODE 5V 13.4V SMB

MT8870DSR1

MT8870DSR1

Microchip Technology

IC RECEIVER DTMF 18SOIC

BNX022-01L

BNX022-01L

Murata

FILTER LC 1UF SMD

AD9765ASTZ

AD9765ASTZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 48LQFP

MT41K256M16HA-125 AIT:E

MT41K256M16HA-125 AIT:E

Micron Technology Inc.

IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA

1N4007-TP

1N4007-TP

Micro Commercial Co

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41