Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IXGT20N60B

IXGT20N60B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT20N60B
PNEDA Teilenummer IXGT20N60B
Beschreibung IGBT 600V 40A 150W TO268
Hersteller IXYS
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.690
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IXGT20N60B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT20N60B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT20N60B, IXGT20N60B Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 114,65 KB)
PDFIXGT20N60B Datenblatt Cover
IXGT20N60B Datenblatt Seite 2 IXGT20N60B Datenblatt Seite 3 IXGT20N60B Datenblatt Seite 4

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • IXGT20N60B Datasheet
  • where to find IXGT20N60B
  • IXYS

  • IXYS IXGT20N60B
  • IXGT20N60B PDF Datasheet
  • IXGT20N60B Stock

  • IXGT20N60B Pinout
  • Datasheet IXGT20N60B
  • IXGT20N60B Supplier

  • IXYS Distributor
  • IXGT20N60B Price
  • IXGT20N60B Distributor

IXGT20N60B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
Leistung - max150W
Schaltenergie150µJ (on), 700µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge90nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/150ns
Testbedingung480V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXGT45N120

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 45A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

14mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/370ns

Testbedingung

960V, 45A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

FGH40T120SMDL4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

555W

Schaltenergie

2.24mJ (on), 1.02mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

370nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

44ns/464ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

65ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247

IKW50N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

282W

Schaltenergie

840µJ (on), 220µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/417ns

Testbedingung

400V, 25A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 16A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

380µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

33nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/116ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3P

IKQ120N60TAXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

160A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

480A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 120A

Leistung - max

833W

Schaltenergie

4.1mJ (on), 2.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

772nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/310ns

Testbedingung

400V, 120A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

280ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-46

Kürzlich verkauft

MB6S

MB6S

ON Semiconductor

BRIDGE RECT 1P 600V 500MA 4SOIC

FT230XS-U

FT230XS-U

FTDI, Future Technology Devices International Ltd

IC USB SERIAL BASIC UART 16SSOP

ADM1184ARMZ-REEL7

ADM1184ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VOLT MONITOR/SEQ 4CH 10MSOP

PG1112H-TR

PG1112H-TR

Stanley Electric Co

LED GREEN DIFFUSED 2125 SMD

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

MT25QU512ABB8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

MC14094BDR2G

MC14094BDR2G

ON Semiconductor

IC SHIFT REGSTR 8BIT CMOS 16SOIC

LTC1726IS8-2.5#PBF

LTC1726IS8-2.5#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC TRPL SPLY MONITOR 2.5V 8-SOIC

SMBJ7.0CA-E3/52

SMBJ7.0CA-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 7V 12V DO214AA

BLM18PG471SN1D

BLM18PG471SN1D

Murata

FERRITE BEAD 470 OHM 0603 1LN

GP2S40JJ000F

GP2S40JJ000F

Sharp Microelectronics

PHOTOINTERRUPTER REFL 6.5MM PCB

BNX026H01L

BNX026H01L

Murata

FILTER LC 10UF SMD

AT90S1200-12SC

AT90S1200-12SC

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 1KB FLASH 20SOIC