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IXSH35N140A

IXSH35N140A

Nur als Referenz

Teilenummer IXSH35N140A
PNEDA Teilenummer IXSH35N140A
Beschreibung IGBT 1400V 70A 300W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.608
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IXSH35N140A Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXSH35N140A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXSH35N140A, IXSH35N140A Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 146,52 KB)
PDFIXSH35N140A Datenblatt Cover
IXSH35N140A Datenblatt Seite 2 IXSH35N140A Datenblatt Seite 3 IXSH35N140A Datenblatt Seite 4 IXSH35N140A Datenblatt Seite 5

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IXSH35N140A Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1400V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 35A
Leistung - max300W
Schaltenergie4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/150ns
Testbedingung960V, 35A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXSH)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

NGTB10N60FG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

72A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/145ns

Testbedingung

300V, 10A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3FS

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

670µJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/150ns

Testbedingung

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

APT50GT120B2RDLG

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

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IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

106A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

694W

Schaltenergie

3585µJ (on), 1910µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

240nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/215ns

Testbedingung

800V, 50A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3 Variant

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 50A

Leistung - max

333W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/299ns

Testbedingung

400V, 50A, 7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

143ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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