IKW50N60TFKSA1
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| Teilenummer | IKW50N60TFKSA1 |
| PNEDA Teilenummer | IKW50N60TFKSA1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 80A 333W TO247-3 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 23.652 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IKW50N60TFKSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IKW50N60TFKSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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IKW50N60TFKSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | TrenchStop® |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A |
| Leistung - max | 333W |
| Schaltenergie | 2.6mJ |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 310nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/299ns |
| Testbedingung | 400V, 50A, 7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 143ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max 100W Schaltenergie 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/540ns Testbedingung 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 105A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A Leistung - max 273W Schaltenergie 1.3mJ (on), 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 105nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/105ns Testbedingung 400V, 35A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 150ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 7A Leistung - max 80W Schaltenergie 85µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 42nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 15ns/75ns Testbedingung 480V, 7A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
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