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IRGP4063D1PBF

IRGP4063D1PBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRGP4063D1PBF
PNEDA Teilenummer IRGP4063D1PBF
Beschreibung IGBT 600V 100A 330W TO247AC
Hersteller Infineon Technologies
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IRGP4063D1PBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRGP4063D1PBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRGP4063D1PBF, IRGP4063D1PBF Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.397,26 KB)
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IRGP4063D1PBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)192A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.14V @ 15V, 48A
Leistung - max330W
Schaltenergie1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/160ns
Testbedingung400V, 48A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)80ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

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Serie

POWER MOS 8™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

63A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

105A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 18A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

642µJ (on), 382µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

84nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12ns/104ns

Testbedingung

600V, 18A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

STGB40H65FB

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

283W

Schaltenergie

498µJ (on), 363µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/142ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

STGDL6NC60DT4

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 3A

Leistung - max

50W

Schaltenergie

46.5µJ (on), 23.5µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

6.7ns/46ns

Testbedingung

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

SGW20N60FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

179W

Schaltenergie

440µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/225ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

164A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

320A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

Leistung - max

1040W

Schaltenergie

4.95mJ (on), 2.78mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

215nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/192ns

Testbedingung

600V, 80A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

420ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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