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IKQ75N120CT2XKSA1

IKQ75N120CT2XKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IKQ75N120CT2XKSA1
PNEDA Teilenummer IKQ75N120CT2XKSA1
Beschreibung IGBT 1200V 150A TO247-3-46
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.634
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IKQ75N120CT2XKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIKQ75N120CT2XKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IKQ75N120CT2XKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop™
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 75A
Leistung - max938W
Schaltenergie6.7mJ (on), 4.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge370nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.37ns/328ns
Testbedingung600V, 75A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3-46

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

530A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 150A

Leistung - max

780W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXGK)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

350W

Schaltenergie

3.95mJ (on), 2.33mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

82ns/282ns

Testbedingung

480V, 60A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

82ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-274AA

Lieferantengerätepaket

SUPER-247™ (TO-274AA)

STGF14N60D

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

Leistung - max

33W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

390V, 7A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

STGP20V60DF

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

200µJ (on), 130µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

116nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/149ns

Testbedingung

400V, 20A, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

52A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

104A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

297W

Schaltenergie

2.8mJ (on), 2.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/210ns

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

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