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IXGK75N250

IXGK75N250

Nur als Referenz

Teilenummer IXGK75N250
PNEDA Teilenummer IXGK75N250
Beschreibung IGBT 2500V 170A 780W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.042
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IXGK75N250 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGK75N250
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGK75N250, IXGK75N250 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 174,56 KB)
PDFIXGX75N250 Datenblatt Cover
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IXGK75N250 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)170A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)530A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.6V @ 15V, 150A
Leistung - max780W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge410nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXGK)

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.22mJ (on), 440µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/64ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

101ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

IXBH10N170

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

30nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/500ns

Testbedingung

1360V, 10A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

360ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXBH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 3A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

400µJ (on), 300µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 3A, 330Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

350ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268AA

IRGS4620DTRRPBF

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

75µJ (on), 225µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/83ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/73ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

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