HGTP20N60A4
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| Teilenummer | HGTP20N60A4 |
| PNEDA Teilenummer | HGTP20N60A4 |
| Beschreibung | IGBT 600V 70A 290W TO220AB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 17.676 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTP20N60A4 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HGTP20N60A4 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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HGTP20N60A4 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 280A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 290W |
| Schaltenergie | 105µJ (on), 150µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 142nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 15ns/73ns |
| Testbedingung | 390V, 20A, 3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A Leistung - max 428W Schaltenergie 4.5mJ Eingabetyp Standard Gate Charge 470nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 33ns/330ns Testbedingung 400V, 75A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 121ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
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