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IRG8P08N120KDPBF

IRG8P08N120KDPBF

Nur als Referenz

Teilenummer IRG8P08N120KDPBF
PNEDA Teilenummer IRG8P08N120KDPBF
Beschreibung IGBT 1200V 15A 89W TO-247AC
Hersteller Infineon Technologies
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IRG8P08N120KDPBF Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRG8P08N120KDPBF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IRG8P08N120KDPBF, IRG8P08N120KDPBF Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 662,92 KB)
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IRG8P08N120KDPBF Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)15A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 5A
Leistung - max89W
Schaltenergie300µJ (on), 300µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge45nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/160ns
Testbedingung600V, 5A, 47Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

64A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 9A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

250µJ (on), 640µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/240ns

Testbedingung

480V, 9A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

FGH75T65SHDTL4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

1.06mJ (on), 1.56mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

126nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/189ns

Testbedingung

400V, 75A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

76ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-4

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGD3040G2-F085V

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

41A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

21nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

0.9µs/4.8µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1000Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-PAK (TO-252)

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

410A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

1100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 100A

Leistung - max

1560W

Schaltenergie

5mJ (on), 4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

340nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/370ns

Testbedingung

400V, 100A, 0Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

108ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 28A

Leistung - max

43W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

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