Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

STGB7NB60HDT4

STGB7NB60HDT4

Nur als Referenz

Teilenummer STGB7NB60HDT4
PNEDA Teilenummer STGB7NB60HDT4
Beschreibung IGBT 600V 14A 80W D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.664
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 18 - Jun 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGB7NB60HDT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB7NB60HDT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB7NB60HDT4, STGB7NB60HDT4 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 338,36 KB)
PDFSTGB7NB60HDT4 Datenblatt Cover
STGB7NB60HDT4 Datenblatt Seite 2 STGB7NB60HDT4 Datenblatt Seite 3 STGB7NB60HDT4 Datenblatt Seite 4 STGB7NB60HDT4 Datenblatt Seite 5 STGB7NB60HDT4 Datenblatt Seite 6 STGB7NB60HDT4 Datenblatt Seite 7 STGB7NB60HDT4 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • STGB7NB60HDT4 Datasheet
  • where to find STGB7NB60HDT4
  • STMicroelectronics

  • STMicroelectronics STGB7NB60HDT4
  • STGB7NB60HDT4 PDF Datasheet
  • STGB7NB60HDT4 Stock

  • STGB7NB60HDT4 Pinout
  • Datasheet STGB7NB60HDT4
  • STGB7NB60HDT4 Supplier

  • STMicroelectronics Distributor
  • STGB7NB60HDT4 Price
  • STGB7NB60HDT4 Distributor

STGB7NB60HDT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)14A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 7A
Leistung - max80W
Schaltenergie85µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge42nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/75ns
Testbedingung480V, 7A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRG7CH42UED

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APT15GN120BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

195W

Schaltenergie

410µJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

10ns/150ns

Testbedingung

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRG4PC20U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

100µJ (on), 120µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

27nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

21ns/86ns

Testbedingung

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

IRG4PC30UPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

160µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/78ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

MGP15N40CLG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

440V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 25A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/4µs

Testbedingung

300V, 6.5A, 1kOhm

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

CS5173EDR8G

CS5173EDR8G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 1.5A 8SOIC

MPC9448ACR2

MPC9448ACR2

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK BUFFER 1:12 350MHZ 32TQFP

MBR360G

MBR360G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO201AD

ARF445

ARF445

Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

AD8051ARTZ-REEL7

AD8051ARTZ-REEL7

Analog Devices

IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT SOT23-5

MCP73832T-2ATI/OT

MCP73832T-2ATI/OT

Microchip Technology

IC LI-ION/LI-POLY CTRLR SOT23-5

ULN2804A

ULN2804A

STMicroelectronics

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

T495D337K006ATE040

T495D337K006ATE040

KEMET

CAP TANT 330UF 10% 6.3V 2917

FXLP34P5X

FXLP34P5X

ON Semiconductor

IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL SC70-5

SD103AW-E3-08

SD103AW-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123

MMSD4148T1G

MMSD4148T1G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD123

DECB33J681KC4B

DECB33J681KC4B

Murata

CAP CER 680PF 6.3KV RADIAL