APT15GN120BDQ1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT15GN120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | APT15GN120BDQ1G | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 45A 195W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 16 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * | ||||||||||||||||||
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APT15GN120BDQ1G Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT15GN120BDQ1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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APT15GN120BDQ1G Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 45A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 195W |
| Schaltenergie | 410µJ (on), 950µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 90nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 10ns/150ns |
| Testbedingung | 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 [B] |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 64A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 15A Leistung - max 200W Schaltenergie 895µJ (on), 840µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 10ns/120ns Testbedingung 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
Hersteller IXYS Serie GenX4™, XPT™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 160A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 430A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A Leistung - max 625W Schaltenergie 3.77mJ (on), 1.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 38ns/120ns Testbedingung 400V, 80A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 150ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXXH) |
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 37A Leistung - max 200W Schaltenergie 400µJ (on), 810µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 78nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/130ns Testbedingung 300V, 37A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 25ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 58A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A Leistung - max 194W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 58nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/105ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 58ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
