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IXYX25N250CV1HV

IXYX25N250CV1HV

Nur als Referenz

Teilenummer IXYX25N250CV1HV
PNEDA Teilenummer IXYX25N250CV1HV
Beschreibung IGBT 2500V 235A PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.398
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXYX25N250CV1HV Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXYX25N250CV1HV
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXYX25N250CV1HV, IXYX25N250CV1HV Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 246,86 KB)
PDFIXYX25N250CV1HV Datenblatt Cover
IXYX25N250CV1HV Datenblatt Seite 2 IXYX25N250CV1HV Datenblatt Seite 3 IXYX25N250CV1HV Datenblatt Seite 4 IXYX25N250CV1HV Datenblatt Seite 5 IXYX25N250CV1HV Datenblatt Seite 6 IXYX25N250CV1HV Datenblatt Seite 7 IXYX25N250CV1HV Datenblatt Seite 8

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IXYX25N250CV1HV Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieXPT™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2500V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)95A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)235A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 25A
Leistung - max937W
Schaltenergie8.3mJ (on), 7.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge147nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.15ns/230ns
Testbedingung1250V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)220ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

88A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

1.3mJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/90ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

195ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

IRGPC50FD2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 39A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

240A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

630A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 110A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

183nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/156ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXXK)

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

310A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

840A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 140A

Leistung - max

1630W

Schaltenergie

4.3mJ (on), 4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

330nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/145ns

Testbedingung

450V, 100A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

11mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

130nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/650ns

Testbedingung

960V, 25A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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