APT15GT60KRG
Nur als Referenz
| Teilenummer | APT15GT60KRG |
| PNEDA Teilenummer | APT15GT60KRG |
| Beschreibung | IGBT 600V 42A 184W TO220 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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APT15GT60KRG Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | APT15GT60KRG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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APT15GT60KRG Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | Thunderbolt IGBT® |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 42A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 45A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 15A |
| Leistung - max | 184W |
| Schaltenergie | 150µJ (on), 215µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 75nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 6ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 15A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 [K] |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 10A Leistung - max 92W Schaltenergie 320µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 52nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 28ns/178ns Testbedingung 400V, 10A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 220ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket PG-TO263-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A Leistung - max 125W Schaltenergie 55µJ (on), 150µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 60nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/100ns Testbedingung 390V, 7A, 25Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 50A Leistung - max 250W Schaltenergie 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 145nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/66ns Testbedingung 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 100ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket TO-264-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A Leistung - max 250W Schaltenergie 220µJ (on), 330µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31ns/100ns Testbedingung 390V, 20A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 44ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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