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IXGX12N90C

IXGX12N90C

Nur als Referenz

Teilenummer IXGX12N90C
PNEDA Teilenummer IXGX12N90C
Beschreibung IGBT 900V 24A 100W PLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.650
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGX12N90C Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGX12N90C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGX12N90C, IXGX12N90C Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 143,29 KB)
PDFIXGX12N90C Datenblatt Cover
IXGX12N90C Datenblatt Seite 2 IXGX12N90C Datenblatt Seite 3 IXGX12N90C Datenblatt Seite 4

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IXGX12N90C Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™, Lightspeed™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)24A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 12A
Leistung - max100W
Schaltenergie320µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge33nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.20ns/135ns
Testbedingung720V, 12A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPLUS247™-3

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Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

10V @ 12V, 300A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/200ns

Testbedingung

300V, 300A, 30Ohm, 12V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

10A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 15V, 5A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

34nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

960V, 5A, 27Ohm, 10V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

57A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 42A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

188nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.32µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Leistung - max

90W

Schaltenergie

110µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/215ns

Testbedingung

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

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ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.61V @ 15V, 40A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

1.17mJ (on), 280µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

228nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

98ns/213ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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