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IXBR42N170

IXBR42N170

Nur als Referenz

Teilenummer IXBR42N170
PNEDA Teilenummer IXBR42N170
Beschreibung IGBT 1700V 57A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 4.878
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IXBR42N170 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXBR42N170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXBR42N170, IXBR42N170 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 170,14 KB)
PDFIXBR42N170 Datenblatt Cover
IXBR42N170 Datenblatt Seite 2 IXBR42N170 Datenblatt Seite 3 IXBR42N170 Datenblatt Seite 4 IXBR42N170 Datenblatt Seite 5

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IXBR42N170 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieBIMOSFET™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)57A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 42A
Leistung - max200W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge188nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)1.32µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

78A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

Leistung - max

370W

Schaltenergie

350µJ (on), 825µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

102nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

46ns/185ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D2PAK

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.03mJ (on), 480µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

175nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/77ns

Testbedingung

480V, 50A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

250A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Leistung - max

340W

Schaltenergie

743µJ (on), 560µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

195nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/240ns

Testbedingung

390V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

IXGH28N90B

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

51A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/100ns

Testbedingung

720V, 28A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-247AD (IXGH)

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

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Gate Charge

72nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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