STGWA60NC60WDR
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| Teilenummer | STGWA60NC60WDR |
| PNEDA Teilenummer | STGWA60NC60WDR |
| Beschreibung | IGBT 600V 130A 340W TO247 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 9.108 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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STGWA60NC60WDR Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | STGWA60NC60WDR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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STGWA60NC60WDR Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | PowerMESH™ |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 130A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 250A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
| Leistung - max | 340W |
| Schaltenergie | 743µJ (on), 560µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 195nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 40ns/240ns |
| Testbedingung | 390V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 Long Leads |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 34A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 68A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 18A Leistung - max 100W Schaltenergie 260µJ (on), 3.45mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 50nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 22ns/540ns Testbedingung 480V, 18A, 23Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 130A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Leistung - max 469W Schaltenergie 2.56mJ (on), 1.78mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 45ns/410ns Testbedingung 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 9A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 12A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 3A Leistung - max 49W Schaltenergie 50µJ (on), 27µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 17nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 27ns/59ns Testbedingung 300V, 3A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 65ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 74A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 255W Schaltenergie 360µJ (on), 100µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 95nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/160ns Testbedingung 400V, 20A, 15Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller IXYS Serie GenX3™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 370A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 44A Leistung - max 330W Schaltenergie 1mJ (on), 3.75mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/310ns Testbedingung 480V, 44A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
