GT60N321(Q)
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| Teilenummer | GT60N321(Q) |
| PNEDA Teilenummer | GT60N321-Q |
| Beschreibung | IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.254 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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GT60N321(Q) Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | GT60N321(Q) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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GT60N321(Q) Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1000V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 60A |
| Leistung - max | 170W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 330ns/700ns |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.5µs |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3PL |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P(LH) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A Leistung - max 125W Schaltenergie 170µJ (on), 60µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/156ns Testbedingung 400V, 10A, 32Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 52ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3 |
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