IRG8B08N120KDPBF
Nur als Referenz
| Teilenummer | IRG8B08N120KDPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRG8B08N120KDPBF |
| Beschreibung | DIODE 1200V 8A TO-220 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.670 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 1 - Jan 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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IRG8B08N120KDPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRG8B08N120KDPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
IRG8B08N120KDPBF, IRG8B08N120KDPBF Datenblatt
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IRG8B08N120KDPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 15A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 5A |
| Leistung - max | 89W |
| Schaltenergie | 300µJ (on), 300µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 45nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 20ns/160ns |
| Testbedingung | 600V, 5A, 47Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 375W Schaltenergie 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 152nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/208ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 134ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket TO-247-4L |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 36A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 11A Leistung - max 60W Schaltenergie 410µJ (on), 2.03mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 39nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 21ns/463ns Testbedingung 480V, 11A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 330V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.14V @ 15V, 60A Leistung - max 78W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 33nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1ns/65ns Testbedingung 196V, 12A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 50A Leistung - max 417W Schaltenergie 1.5mJ (on), 460µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 220nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 100ns/237ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 94ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie 145µJ (on), 70µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
