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STGB10M65DF2

STGB10M65DF2

Nur als Referenz

Teilenummer STGB10M65DF2
PNEDA Teilenummer STGB10M65DF2
Beschreibung IGBT 650V 10A D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.598
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STGB10M65DF2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB10M65DF2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB10M65DF2, STGB10M65DF2 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.136,11 KB)
PDFSTGB10M65DF2 Datenblatt Cover
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STGB10M65DF2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Leistung - max115W
Schaltenergie120µJ (on), 270µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/91ns
Testbedingung400V, 10A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)96ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 25A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

204nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

170ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

IGB20N60H3ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

170W

Schaltenergie

690µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/194ns

Testbedingung

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

IXGF36N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 100A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

136nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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