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STGB10M65DF2

STGB10M65DF2

Nur als Referenz

Teilenummer STGB10M65DF2
PNEDA Teilenummer STGB10M65DF2
Beschreibung IGBT 650V 10A D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGB10M65DF2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB10M65DF2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB10M65DF2, STGB10M65DF2 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 1.136,11 KB)
PDFSTGB10M65DF2 Datenblatt Cover
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STGB10M65DF2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Leistung - max115W
Schaltenergie120µJ (on), 270µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.19ns/91ns
Testbedingung400V, 10A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)96ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

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Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

126A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 16A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

4.75mJ (on), 3.9mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

97nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/260ns

Testbedingung

1250V, 16A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

19ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

IRGP4063D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

96A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

Leistung - max

330W

Schaltenergie

625µJ (on), 1.28mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

140nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/145ns

Testbedingung

400V, 48A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

FGA25S125P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1250V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 25A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

204nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

TIG064E8-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

7V @ 2.5V, 100A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-ECH

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 28A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

92nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/180ns

Testbedingung

960V, 28A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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