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IGB20N60H3ATMA1

IGB20N60H3ATMA1

Nur als Referenz

Teilenummer IGB20N60H3ATMA1
PNEDA Teilenummer IGB20N60H3ATMA1
Beschreibung IGBT 600V 40A 170W TO263-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 13.530
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IGB20N60H3ATMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIGB20N60H3ATMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

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IGB20N60H3ATMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 20A
Leistung - max170W
Schaltenergie690µJ
EingabetypStandard
Gate Charge120nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.16ns/194ns
Testbedingung400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD²PAK (TO-263AB)

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Hersteller

IXYS

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/400ns

Testbedingung

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Sanken

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

65nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/300ns

Testbedingung

300V, 30A, 39Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3PF

STGP12NB60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

210µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

68nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

5ns/91ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

80ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

850µJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

28ns/150ns

Testbedingung

600V, 25A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

265ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

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Gate Charge

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