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IXGR50N60C2D1

IXGR50N60C2D1

Nur als Referenz

Teilenummer IXGR50N60C2D1
PNEDA Teilenummer IXGR50N60C2D1
Beschreibung IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.362
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGR50N60C2D1 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGR50N60C2D1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGR50N60C2D1, IXGR50N60C2D1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 215,75 KB)
PDFIXGR50N60C2D1 Datenblatt Cover
IXGR50N60C2D1 Datenblatt Seite 2 IXGR50N60C2D1 Datenblatt Seite 3 IXGR50N60C2D1 Datenblatt Seite 4 IXGR50N60C2D1 Datenblatt Seite 5 IXGR50N60C2D1 Datenblatt Seite 6

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IXGR50N60C2D1 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 40A
Leistung - max200W
Schaltenergie380µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge138nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/115ns
Testbedingung480V, 40A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)35ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallISOPLUS247™
LieferantengerätepaketISOPLUS247™

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 40A

Leistung - max

305W

Schaltenergie

750µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

223nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/193ns

Testbedingung

400V, 40A, 5.6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

SGP20N60XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

Leistung - max

179W

Schaltenergie

440µJ (on), 330µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/225ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

Leistung - max

167W

Schaltenergie

55µJ (on), 50µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

78nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/96ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-263AB

IKA15N65ET6XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

57.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 11.5A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

230µJ (on), 110µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/117ns

Testbedingung

400V, 11.5A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

69ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3 Full Pack

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 60A

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540W

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1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

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Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/320ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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