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IXGT16N170

IXGT16N170

Nur als Referenz

Teilenummer IXGT16N170
PNEDA Teilenummer IXGT16N170
Beschreibung IGBT 1700V 32A 190W TO268
Hersteller IXYS
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Auf Lager 3.472
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IXGT16N170 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGT16N170
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGT16N170, IXGT16N170 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 153,01 KB)
PDFIXGT16N170 Datenblatt Cover
IXGT16N170 Datenblatt Seite 2 IXGT16N170 Datenblatt Seite 3 IXGT16N170 Datenblatt Seite 4 IXGT16N170 Datenblatt Seite 5

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IXGT16N170 Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1700V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)32A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 16A
Leistung - max190W
Schaltenergie9.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/400ns
Testbedingung1360V, 16A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
LieferantengerätepaketTO-268

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Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

420V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 4.5V, 10A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

29nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

650ns/13.5µs

Testbedingung

300V, 10A, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

DPAK

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

290µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/70ns

Testbedingung

400V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 20A

Leistung - max

178W

Schaltenergie

690µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/207ns

Testbedingung

400V, 20A, 16Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

Leistung - max

180W

Schaltenergie

1.75mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

69nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

960V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

65A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

400V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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