IXGT16N170
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| Teilenummer | IXGT16N170 |
| PNEDA Teilenummer | IXGT16N170 |
| Beschreibung | IGBT 1700V 32A 190W TO268 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.472 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXGT16N170 Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXGT16N170 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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IXGT16N170 Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | NPT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1700V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 32A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 16A |
| Leistung - max | 190W |
| Schaltenergie | 9.3mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 78nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 45ns/400ns |
| Testbedingung | 1360V, 16A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Lieferantengerätepaket | TO-268 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 56A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A Leistung - max 60W Schaltenergie 160µJ (on), 120µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 23nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/130ns Testbedingung 480V, 7A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 37ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 135A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 20A Leistung - max 235W Schaltenergie 1.66mJ (on), 4.44mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/275ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 152ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 50A Leistung - max - Schaltenergie 600µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 70ns/144ns Testbedingung 400V, 50A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 376ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 420V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 4.5V, 10A Leistung - max 125W Schaltenergie - Eingabetyp Logic Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 650ns/13.5µs Testbedingung 300V, 10A, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
