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IXGP20N120B

IXGP20N120B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGP20N120B
PNEDA Teilenummer IXGP20N120B
Beschreibung IGBT 1200V 40A 190W TO220
Hersteller IXYS
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Auf Lager 2.718
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGP20N120B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGP20N120B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGP20N120B, IXGP20N120B Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 580,74 KB)
PDFIXGP20N120B Datenblatt Cover
IXGP20N120B Datenblatt Seite 2 IXGP20N120B Datenblatt Seite 3 IXGP20N120B Datenblatt Seite 4 IXGP20N120B Datenblatt Seite 5

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IXGP20N120B Technische Daten

HerstellerIXYS
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 20A
Leistung - max190W
Schaltenergie2.1mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge72nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/150ns
Testbedingung960V, 20A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220AB

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

9V @ 2.5V, 150A

Leistung - max

1.8W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

47A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 18A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

260µJ (on), 3.45mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/540ns

Testbedingung

480V, 18A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

79A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

230W

Schaltenergie

860µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

95nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/130ns

Testbedingung

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

73ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

130A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

8V @ 4.5V, 130A

Leistung - max

45W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

141A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

99A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.57V @ 15V, 33A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

227nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/485ns

Testbedingung

600V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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