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IXGH15N120B

IXGH15N120B

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH15N120B
PNEDA Teilenummer IXGH15N120B
Beschreibung IGBT 1200V 30A 180W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 6.930
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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IXGH15N120B Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH15N120B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH15N120B, IXGH15N120B Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 529,35 KB)
PDFIXGT15N120B Datenblatt Cover
IXGT15N120B Datenblatt Seite 2 IXGT15N120B Datenblatt Seite 3 IXGT15N120B Datenblatt Seite 4

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IXGH15N120B Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 15A
Leistung - max180W
Schaltenergie1.75mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge69nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.25ns/180ns
Testbedingung960V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

190A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

380A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 70A

Leistung - max

830W

Schaltenergie

2mJ (on), 950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

IKFW50N60DH3XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

53A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 40A

Leistung - max

145W

Schaltenergie

1.22mJ (on), 610µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

210nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/212ns

Testbedingung

400V, 40A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

64ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3-AI

SIGC57T120R3LEX1SA3

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 36A

Leistung - max

600W

Schaltenergie

670µJ (on), 1.2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/150ns

Testbedingung

360V, 36A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

APT15GP90BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

60nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/33ns

Testbedingung

600V, 15A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Kürzlich verkauft

AT24C04D-SSHM-T

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Microchip Technology

IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8SOIC

LTM4616EV#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.6-5V 0.6-5V

MMSZ5232B-7-F

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DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123

MIC69303YME-TR

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Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 8SOIC

TSM2323CX RFG

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Taiwan Semiconductor Corporation

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23

LT1764AEQ#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 5DDPAK

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

C0805C334J4RACTU

C0805C334J4RACTU

KEMET

CAP CER 0.33UF 16V X7R 0805

219-2MSTR

219-2MSTR

CTS Electrocomponents

SWITCH SLIDE DIP SPST 100MA 20V

B39162B4300F210

B39162B4300F210

Qualcomm

FILTER SAW 1.575GHZ 5SMD

ADM1031ARQZ

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IC SENSOR 2-TEMP/FAN CTRL 16QSOP

MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812