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IXXH100N60C3

IXXH100N60C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXXH100N60C3
PNEDA Teilenummer IXXH100N60C3
Beschreibung IGBT 600V 190A 830W TO247AD
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.560
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IXXH100N60C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXH100N60C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXH100N60C3, IXXH100N60C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 171,88 KB)
PDFIXXH100N60C3 Datenblatt Cover
IXXH100N60C3 Datenblatt Seite 2 IXXH100N60C3 Datenblatt Seite 3 IXXH100N60C3 Datenblatt Seite 4 IXXH100N60C3 Datenblatt Seite 5 IXXH100N60C3 Datenblatt Seite 6

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IXXH100N60C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)190A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)380A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 70A
Leistung - max830W
Schaltenergie2mJ (on), 950µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge150nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/90ns
Testbedingung360V, 70A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 (IXXH)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

M

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 10A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

120µJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

28nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19ns/91ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

96ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

36A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 10A

Leistung - max

280W

Schaltenergie

1.4mJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

14ns/130ns

Testbedingung

850V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXYH)

APT30GS60BRDQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Thunderbolt IGBT®

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

113A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.15V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

570µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/360ns

Testbedingung

400V, 30A, 9.1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRG4BC30KD-SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

56A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

600µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

67nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

60ns/160ns

Testbedingung

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

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