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RJH60D7DPM-00#T1

RJH60D7DPM-00#T1

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60D7DPM-00#T1
PNEDA Teilenummer RJH60D7DPM-00-T1
Beschreibung IGBT 600V 90A 55W TO3PFM
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH60D7DPM-00#T1 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60D7DPM-00#T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60D7DPM-00#T1, RJH60D7DPM-00#T1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 104,29 KB)
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RJH60D7DPM-00#T1 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)90A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
Leistung - max55W
Schaltenergie1.1mJ (on), 600µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge130nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.60ns/190ns
Testbedingung300V, 50A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3PFM, SC-93-3
LieferantengerätepaketTO-3PFM

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

238W

Schaltenergie

138µJ (on), 52µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16.4ns/86.4ns

Testbedingung

400V, 10A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31.8ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

88A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Leistung - max

326W

Schaltenergie

1.46mJ (on), 1.29mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

58nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/115ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247N

IRG4BC40U

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

320µJ (on), 350µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

34ns/110ns

Testbedingung

480V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

155A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A

Leistung - max

536W

Schaltenergie

2500µJ (on), 2140µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

485nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/385ns

Testbedingung

400V, 75A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 28A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

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