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STGP6M65DF2

STGP6M65DF2

Nur als Referenz

Teilenummer STGP6M65DF2
PNEDA Teilenummer STGP6M65DF2
Beschreibung TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 13.338
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGP6M65DF2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGP6M65DF2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGP6M65DF2, STGP6M65DF2 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 952,91 KB)
PDFSTGP6M65DF2 Datenblatt Cover
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STGP6M65DF2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieM
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)24A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 6A
Leistung - max88W
Schaltenergie40µJ (on), 136µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge21.2nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.12ns/86ns
Testbedingung400V, 6A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketTO-220

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9.6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

9.9A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Leistung - max

62.5W

Schaltenergie

290µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

22nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9.2ns/281ns

Testbedingung

800V, 3A, 82Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

42ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

680A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 60A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

366nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

55ns/450ns

Testbedingung

960V, 60A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

1.68mJ (on), 1.03mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

145nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/66ns

Testbedingung

300V, 50A, 5.9Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-264-3

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

180A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

2.1mJ (on), 1.5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

160nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/110ns

Testbedingung

800V, 24A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

90ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

13.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 2A

Leistung - max

32W

Schaltenergie

-

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Gate Charge

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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