SGL50N60RUFDTU
Nur als Referenz
Teilenummer | SGL50N60RUFDTU |
PNEDA Teilenummer | SGL50N60RUFDTU |
Beschreibung | IGBT 600V 80A 250W TO264 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.148 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
SGL50N60RUFDTU Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SGL50N60RUFDTU |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SGL50N60RUFDTU Datasheet
- where to find SGL50N60RUFDTU
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor SGL50N60RUFDTU
- SGL50N60RUFDTU PDF Datasheet
- SGL50N60RUFDTU Stock
- SGL50N60RUFDTU Pinout
- Datasheet SGL50N60RUFDTU
- SGL50N60RUFDTU Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- SGL50N60RUFDTU Price
- SGL50N60RUFDTU Distributor
SGL50N60RUFDTU Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | - |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 50A |
Leistung - max | 250W |
Schaltenergie | 1.68mJ (on), 1.03mJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 145nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 26ns/66ns |
Testbedingung | 300V, 50A, 5.9Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
Lieferantengerätepaket | TO-264-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 60A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 20A Leistung - max 156W Schaltenergie 310µJ (on), 460µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/199ns Testbedingung 400V, 20A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1 |
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 12A Leistung - max 130W Schaltenergie 135µJ (on), 815µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 54.5nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17.5ns/175ns Testbedingung 480V, 12A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop™ 5 IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 85A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A Leistung - max 273W Schaltenergie 410µJ (on), 190µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 109nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/250ns Testbedingung 400V, 25A, 12Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-4 Lieferantengerätepaket PG-TO247-4 |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 300V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 110A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 110A Leistung - max 255W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 132nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 44ns/245ns Testbedingung 180V, 35A, 10Ohm Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A Leistung - max 1W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. 3.1µs/2µs Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0) |