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IXXK200N60C3

IXXK200N60C3

Nur als Referenz

Teilenummer IXXK200N60C3
PNEDA Teilenummer IXXK200N60C3
Beschreibung IGBT 600V 340A 1630W TO264
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.362
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXXK200N60C3 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXXK200N60C3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXXK200N60C3, IXXK200N60C3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 205,76 KB)
PDFIXXK200N60C3 Datenblatt Cover
IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 2 IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 3 IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 4 IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 5 IXXK200N60C3 Datenblatt Seite 6

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IXXK200N60C3 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieGenX3™, XPT™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)340A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)900A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 100A
Leistung - max1630W
Schaltenergie3mJ (on), 1.7mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge315nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.47ns/125ns
Testbedingung360V, 100A, 1Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264 (IXXK)

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

144A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

320A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 80A

Leistung - max

404W

Schaltenergie

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Eingabetyp

Standard

Gate Charge

171nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/201ns

Testbedingung

400V, 80A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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Hersteller

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Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

56A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

65A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

130µJ (on), 121µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

55nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

8ns/29ns

Testbedingung

400V, 15A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

FGA15N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT and Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Leistung - max

186W

Schaltenergie

3mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/160ns

Testbedingung

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

330ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-3P

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

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37nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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