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STGW25M120DF3

STGW25M120DF3

Nur als Referenz

Teilenummer STGW25M120DF3
PNEDA Teilenummer STGW25M120DF3
Beschreibung IGBT 1200V 50A 375W
Hersteller STMicroelectronics
Stückpreis
1 ---------- $52,3448
100 ---------- $49,8912
250 ---------- $47,4375
500 ---------- $44,9838
750 ---------- $42,9391
1.000 ---------- $40,8944
Auf Lager 445
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STGW25M120DF3 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW25M120DF3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW25M120DF3, STGW25M120DF3 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 482,42 KB)
PDFSTGWA25M120DF3 Datenblatt Cover
STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 2 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 3 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 4 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 5 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 6 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 7 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 8 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 9 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 10 STGWA25M120DF3 Datenblatt Seite 11

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STGW25M120DF3 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 25A
Leistung - max375W
Schaltenergie850µJ (on), 1.3mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/150ns
Testbedingung600V, 25A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)265ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

Leistung - max

375W

Schaltenergie

600µJ (on), 700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

29ns/130ns

Testbedingung

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

303ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

APT40GP60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

385µJ (on), 352µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/64ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

AUIRGF65G40D0

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CooliRIGBT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

62A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

84A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

298µJ (on), 147µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

270nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/142ns

Testbedingung

400V, 20A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

41ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

STGF12NB60KD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

14A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

Leistung - max

30W

Schaltenergie

152µJ (on), 258µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

54nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/96ns

Testbedingung

480V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

37ns

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220FP

IKD15N60R

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

900µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/183ns

Testbedingung

400V, 15A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

110ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

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PA0277NLT

PA0277NLT

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FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

RB521S-30TE61

RB521S-30TE61

Rohm Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2

LTM4615IV#PBF

LTM4615IV#PBF

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DC DC CNVRTR 2X0.8-5V 0.4-2.6V